SPP21N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPP21N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO220

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SPP21N50C3 datasheet

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SPP21N50C3

SPP21N50C3 SPI21N50C3, SPA21N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technology ID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
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SPP21N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP21N50C3 ISPP21N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 190m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION New revolutionary high voltage technology Ultra low effective capacitance ABSOLUTE MAXIMUM

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