Справочник MOSFET. SPP21N50C3

 

SPP21N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SPP21N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf pdf_icon

SPP21N50C3

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
 spp21n50c3.pdf pdf_icon

SPP21N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP21N50C3ISPP21N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 190mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... SPP15P10PLH , SPP16N50C3 , SPP17N80C3 , SPP18P06PH , SPP20N60C3 , SPP20N60CFD , SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , STP80NF70 , SPP24N60C3 , SPP24N60CFD , SPP80P06PH , SPS01N60C3 , SPS02N60C3 , SPS03N60C3 , SPS04N60C3 , SPU01N60C3 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.