SPP21N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP21N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SPP21N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP21N50C3 даташит

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf pdf_icon

SPP21N50C3

SPP21N50C3 SPI21N50C3, SPA21N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technology ID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
 spp21n50c3.pdf pdf_icon

SPP21N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP21N50C3 ISPP21N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 190m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION New revolutionary high voltage technology Ultra low effective capacitance ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... SPP15P10PLH, SPP16N50C3, SPP17N80C3, SPP18P06PH, SPP20N60C3, SPP20N60CFD, SPP20N60S5, SPP20N65C3, 10N65, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH, SPS01N60C3, SPS02N60C3, SPS03N60C3, SPS04N60C3, SPU01N60C3