Справочник MOSFET. SPP21N50C3

 

SPP21N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPP21N50C3
   Маркировка: 21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SPP21N50C3

 

 

SPP21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  infineon
 spp21n50c3 spi21n50c3 spa21n50c3.pdf

SPP21N50C3 SPP21N50C3

SPP21N50C3SPI21N50C3, SPA21N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 21 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP P G-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21 Ultra low effective capacitances Improved transconductance

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
 spp21n50c3.pdf

SPP21N50C3 SPP21N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP21N50C3ISPP21N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 190mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top