SPS01N60C3 Todos los transistores

 

SPS01N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPS01N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251-SL
 

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SPS01N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:686K  infineon
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SPS01N60C3

SPS01N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 6 New revolutionary high voltage technologyID 0.8 A Ultra low gate chargePG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPS01N60C3 PG-TO251-3-11 - 01N60C3Maximum Ratings

Otros transistores... SPP20N60C3 , SPP20N60CFD , SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , SPP21N50C3 , SPP24N60C3 , SPP24N60CFD , SPP80P06PH , 7N60 , SPS02N60C3 , SPS03N60C3 , SPS04N60C3 , SPU01N60C3 , SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 .

History: IXTH34N65X2 | PHD66NQ03LT | 6706A | AONS21357

 

 
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