SPS01N60C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPS01N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO251-SL

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SPS01N60C3 datasheet

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SPS01N60C3

SPS01N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 6 New revolutionary high voltage technology ID 0.8 A Ultra low gate charge PG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPS01N60C3 PG-TO251-3-11 - 01N60C3 Maximum Ratings

Otros transistores... SPP20N60C3, SPP20N60CFD, SPP20N60S5, SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH, AO3407, SPS02N60C3, SPS03N60C3, SPS04N60C3, SPU01N60C3, SPU02N60C3, SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5