SPS01N60C3 - аналоги и даташиты транзистора

 

SPS01N60C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPS01N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO251-SL
 

 Аналог (замена) для SPS01N60C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPS01N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:686K  infineon
 sps01n60c3.pdf pdf_icon

SPS01N60C3

SPS01N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 6 New revolutionary high voltage technologyID 0.8 A Ultra low gate chargePG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPS01N60C3 PG-TO251-3-11 - 01N60C3Maximum Ratings

Другие MOSFET... SPP20N60C3 , SPP20N60CFD , SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , SPP21N50C3 , SPP24N60C3 , SPP24N60CFD , SPP80P06PH , 4N60 , SPS02N60C3 , SPS03N60C3 , SPS04N60C3 , SPU01N60C3 , SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 .

 

 
Back to Top

 


 
.