SPS03N60C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPS03N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251-SL

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SPS03N60C3 datasheet

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SPS03N60C3

SPS03N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A Ultra low gate charge PG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3 Maximum Ratings Para

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