SPS03N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPS03N60C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251-SL
Búsqueda de reemplazo de SPS03N60C3 MOSFET
SPS03N60C3 Datasheet (PDF)
sps03n60c3.pdf

SPS03N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3Maximum RatingsPara
Otros transistores... SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , SPP21N50C3 , SPP24N60C3 , SPP24N60CFD , SPP80P06PH , SPS01N60C3 , SPS02N60C3 , IRF530 , SPS04N60C3 , SPU01N60C3 , SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 , SPU04N60C3 , SPU04N60S5 .
History: SPS02N60C3 | AM7481P | GSM2317 | HRP140N06K | BR6N70 | CS8N65P | TPU60R580C
History: SPS02N60C3 | AM7481P | GSM2317 | HRP140N06K | BR6N70 | CS8N65P | TPU60R580C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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