SPS03N60C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPS03N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO251-SL
Аналог (замена) для SPS03N60C3
SPS03N60C3 Datasheet (PDF)
sps03n60c3.pdf
SPS03N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3Maximum RatingsPara
Другие MOSFET... SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , SPP21N50C3 , SPP24N60C3 , SPP24N60CFD , SPP80P06PH , SPS01N60C3 , SPS02N60C3 , 20N50 , SPS04N60C3 , SPU01N60C3 , SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 , SPU04N60C3 , SPU04N60S5 .
History: STB200NF04L
History: STB200NF04L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet


