Справочник MOSFET. SPS03N60C3

 

SPS03N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPS03N60C3
   Маркировка: 03N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251-SL

 Аналог (замена) для SPS03N60C3

 

 

SPS03N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  infineon
 sps03n60c3.pdf

SPS03N60C3 SPS03N60C3

SPS03N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3Maximum RatingsPara

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top