SPS04N60C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPS04N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: TO251-SL

 Búsqueda de reemplazo de SPS04N60C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPS04N60C3 datasheet

 ..1. Size:620K  infineon
 sps04n60c3.pdf pdf_icon

SPS04N60C3

S VDS Tjmax G -3-11 Marking S G 1-3-11

Otros transistores... SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH, SPS01N60C3, SPS02N60C3, SPS03N60C3, IRF520, SPU01N60C3, SPU02N60C3, SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5, SPU04N60C3, SPU04N60S5, SPU07N60C3