SPS04N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPS04N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO251-SL

Аналог (замена) для SPS04N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPS04N60C3 даташит

 ..1. Size:620K  infineon
 sps04n60c3.pdf pdf_icon

SPS04N60C3

S VDS Tjmax G -3-11 Marking S G 1-3-11

Другие IGBT... SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH, SPS01N60C3, SPS02N60C3, SPS03N60C3, IRF520, SPU01N60C3, SPU02N60C3, SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5, SPU04N60C3, SPU04N60S5, SPU07N60C3