SPU02N60C3 Todos los transistores

 

SPU02N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPU02N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SPU02N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  infineon
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SPU02N60C3

VDS Tjmax G G G G

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 spu02n60c3.pdf pdf_icon

SPU02N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU02N60C3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:709K  infineon
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SPU02N60C3

SPU02N60S5SPD02N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 3 New revolutionary high voltage technologyID 1.8 A Ultra low gate chargePG-TO252 PG-TO251 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking02N60S5SPU02N60S5 PG-TO2

 6.2. Size:882K  infineon
 spd02n60s5 spu02n60s5.pdf pdf_icon

SPU02N60C3

SPU02N60S5SPD02N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 3 New revolutionary high voltage technologyID 1.8 A Ultra low gate chargePG-TO252 PG-TO251 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking02N60S5SPU02N60S5 PG-TO2

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History: SVF7N65CDTR | TSM301K12CQ | AOE6930

 

 
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