Справочник MOSFET. SPU02N60C3

 

SPU02N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPU02N60C3
   Маркировка: 02N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
   Время нарастания (tr): 3 ns
   Выходная емкость (Cd): 90 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SPU02N60C3

 

 

SPU02N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  infineon
spd02n60c3 spu02n60c3.pdf

SPU02N60C3
SPU02N60C3

VDS Tjmax G G G G

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
spu02n60c3.pdf

SPU02N60C3
SPU02N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU02N60C3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:709K  infineon
spu02n60s5 spd02n60s5.pdf

SPU02N60C3
SPU02N60C3

SPU02N60S5SPD02N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 3 New revolutionary high voltage technologyID 1.8 A Ultra low gate chargePG-TO252 PG-TO251 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking02N60S5SPU02N60S5 PG-TO2

 6.2. Size:882K  infineon
spd02n60s5 spu02n60s5.pdf

SPU02N60C3
SPU02N60C3

SPU02N60S5SPD02N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 3 New revolutionary high voltage technologyID 1.8 A Ultra low gate chargePG-TO252 PG-TO251 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking02N60S5SPU02N60S5 PG-TO2

 6.3. Size:260K  inchange semiconductor
spu02n60s5.pdf

SPU02N60C3
SPU02N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU02N60S5FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top