SPU07N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPU07N60C3

Código: 07N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.9 V

Carga de compuerta (Qg): 21 nC

Tiempo de elevación (tr): 3.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPU07N60C3

SPU07N60C3 Datasheet (PDF)

1.1. spd07n60c3 spu07n60c3.pdf Size:975K _infineon

VDS Tjmax Ω • • G G • • • • •

2.1. spd07n60s5 spu07n60s5.pdf Size:888K _infineon

SPU07N60S5 SPD07N60S5 Cool MOS™ Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.6 Ω • New revolutionary high voltage technology ID 7.3 A • Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 PG-TO252 PG-TO251 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated 2 3 • Extreme dv/dt rated 3 1 2 1 • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance Type Packag

4.1. spu07n20g.pdf Size:610K _infineon

SPD 07N20 G SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 200 V VDS • N channel Drain-Source on-state resistance 0.4 RDS(on) Ω • Enhancement mode Continuous drain current 7 A ID • Avalanche rated • dv/dt rated 2 1 1 3 2 3 Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Pb-free Packaging G D S SPD07N20 G PG-TO252 Yes Tape and Reel SPU07N20 G PG-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: