SPU07N60C3 Todos los transistores

 

SPU07N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPU07N60C3

Código: 07N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 7.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.9 V

Carga de compuerta (Qg): 21 nC

Tiempo de elevación (tr): 3.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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SPU07N60C3 Datasheet (PDF)

0.1. spd07n60c3 spu07n60c3.pdf Size:975K _infineon

SPU07N60C3
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VDS Tjmax G G

0.2. spu07n60c3.pdf Size:261K _inchange_semiconductor

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isc N-Channel MOSFET Transistor SPU07N60C3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. spd07n60s5 spu07n60s5.pdf Size:888K _infineon

SPU07N60C3
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SPU07N60S5SPD07N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technologyID 7.3 A Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252PG-TO252 PG-TO251 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated23 Extreme dv/dt rated3121 Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Packag

6.2. spu07n60s5.pdf Size:261K _inchange_semiconductor

SPU07N60C3
SPU07N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU07N60S5FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

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