SPW12N50C3 Todos los transistores

 

SPW12N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPW12N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SPW12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  infineon
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SPW12N50C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
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SPW12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW12N50C3ISPW12N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)380mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 50

Otros transistores... SPU04N60S5 , SPU07N60C3 , SPU07N60S5 , SPW07N60CFD , SPW11N60C3 , SPW11N60CFD , SPW11N60S5 , SPW11N80C3 , P0903BDG , SPW15N60C3 , SPW15N60CFD , SPW16N50C3 , SPW17N80C3 , SPW20N60C3 , SPW20N60CFD , SPW20N60S5 , SPW21N50C3 .

History: CEB730G | HY3708PS | SIHFP360 | HFS5N65S | FDC640PF095 | CS7N70F | AM7483P

 

 
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