Справочник MOSFET. SPW12N50C3

 

SPW12N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW12N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW12N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  infineon
 spw12n50c3.pdf pdf_icon

SPW12N50C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw12n50c3.pdf pdf_icon

SPW12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW12N50C3ISPW12N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)380mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 50

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK969R3-100E | NCEP026N10F | IRF7313PBF-1 | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.