SPW12N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW12N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPW12N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW12N50C3 даташит

 ..1. Size:763K  infineon
 spw12n50c3.pdf pdf_icon

SPW12N50C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw12n50c3.pdf pdf_icon

SPW12N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW12N50C3 ISPW12N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 380m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Improved Transconductance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 50

Другие IGBT... SPU04N60S5, SPU07N60C3, SPU07N60S5, SPW07N60CFD, SPW11N60C3, SPW11N60CFD, SPW11N60S5, SPW11N80C3, IRF830, SPW15N60C3, SPW15N60CFD, SPW16N50C3, SPW17N80C3, SPW20N60C3, SPW20N60CFD, SPW20N60S5, SPW21N50C3