SPW15N60C3 Todos los transistores

 

SPW15N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPW15N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPW15N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  infineon
 spw15n60c3.pdf pdf_icon

SPW15N60C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw15n60c3.pdf pdf_icon

SPW15N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW15N60C3ISPW15N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Improved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 6

 5.1. Size:700K  infineon
 spw15n60cfd.pdf pdf_icon

SPW15N60C3

SPW15N60CFDTMCIMOSTM #:A0D9:R 0. 0 DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 688DG9>CC

 5.2. Size:243K  inchange semiconductor
 spw15n60cfd.pdf pdf_icon

SPW15N60C3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPW15N60CFDISPW15N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)330mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

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History: AM2336N-T1 | SMOS44N80 | CEF05N6

 

 
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