SPW15N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPW15N60C3
Маркировка: 15N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 540 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPW15N60C3
SPW15N60C3 Datasheet (PDF)
spw15n60c3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPW15N60C3ISPW15N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Improved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 6
spw15n60cfd.pdf
SPW15N60CFDTMCIMOSTM #:A0D9:R 0. 0 DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 688DG9>CC
spw15n60cfd.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPW15N60CFDISPW15N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)330mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUQ4040M2 | RUH85350T | RUH85230S | RUH85210R | RUH85150R | RUH85120S | RUH85120M-C | RUH85100M-C | RUH60D60M | RUH6080R | RUH6080M3-C | RUH60120M | RUH60120L | RUH40E12C | RUH40D40M | RUH4040M3