BF556B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF556B
   Código: M85
   Tipo de FET: FET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.013 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF556B

BF556B Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF556A; BF556B; BF556Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)ha

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BF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junction field-effect transistorsRev. 03 5 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.CAUTIONThis device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be takenduring transport and handling.MSC8951.2

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