BF556B
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF556B
Маркировка: M85
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs(off)|ⓘ -
Минимальное напряжение отсечки: 0.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.013
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500
Ohm
Тип корпуса:
SOT23
Аналог (замена) для BF556B
BF556B
Datasheet (PDF)
..1. Size:68K philips
bf556a bf556b bf556c 2.pdf DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF556A; BF556B; BF556Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)ha
..2. Size:71K philips
bf556a bf556b bf556c.pdf BF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junction field-effect transistorsRev. 03 5 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.CAUTIONThis device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be takenduring transport and handling.MSC8951.2
9.1. Size:100K philips
bf556a.pdf DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF556A; BF556B; BF556Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)ha
Другие MOSFET... BF510
, BF511
, BF512
, BF513
, BF545A
, BF545B
, BF545C
, BF556A
, P60NF06
, BF556C
, BF805
, BF861A
, BF861B
, BF861C
, BF862
, BF900
, BF901
.