SPW52N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPW52N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO247

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SPW52N50C3 datasheet

 ..1. Size:609K  infineon
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SPW52N50C3

SPW52N50C3 CoolMOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technology ID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247 PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Marking SPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3 Maxim

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
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SPW52N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3 ISPW52N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 70m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Improved Transconductance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500

Otros transistores... SPW24N60C3, SPW24N60CFD, SPW32N50C3, SPW35N60C3, SPW35N60CFD, SPW47N60C3, SPW47N60CFD, SPW47N65C3, IRF740, IRF1010EZ, IRF1010EZL, IRF1010EZS, IRF1010Z, IRF1010ZL, IRF1010ZS, IRF1018E, IRF1018ES