SPW52N50C3 Todos los transistores

 

SPW52N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPW52N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SPW52N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  infineon
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SPW52N50C3

SPW52N50C3CoolMOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technologyID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package MarkingSPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3Maxim

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
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SPW52N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3ISPW52N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500

Otros transistores... SPW24N60C3 , SPW24N60CFD , SPW32N50C3 , SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 , IRF740 , IRF1010EZ , IRF1010EZL , IRF1010EZS , IRF1010Z , IRF1010ZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES .

History: HM4892B | AP18T10GM-HF | HGB014N08A

 

 
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