SPW52N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPW52N50C3
Маркировка: 52N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 52 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 290 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 2200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPW52N50C3
SPW52N50C3 Datasheet (PDF)
spw52n50c3.pdf
SPW52N50C3CoolMOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technologyID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package MarkingSPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3Maxim
spw52n50c3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3ISPW52N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
