Справочник MOSFET. SPW52N50C3

 

SPW52N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW52N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW52N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  infineon
 spw52n50c3.pdf pdf_icon

SPW52N50C3

SPW52N50C3CoolMOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technologyID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package MarkingSPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3Maxim

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 spw52n50c3.pdf pdf_icon

SPW52N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3ISPW52N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SST4416 | WSR7N65F | 2SJ661-DL-1E | IRFR420 | STU413S | STW23NM60ND | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.