Справочник MOSFET. SPW52N50C3

 

SPW52N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW52N50C3
   Маркировка: 52N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 290 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPW52N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW52N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  infineon
 spw52n50c3.pdf pdf_icon

SPW52N50C3

SPW52N50C3CoolMOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technologyID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package MarkingSPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3Maxim

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 spw52n50c3.pdf pdf_icon

SPW52N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3ISPW52N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.