SPW52N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPW52N50C3
Маркировка: 52N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 290 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPW52N50C3
SPW52N50C3 Datasheet (PDF)
spw52n50c3.pdf
SPW52N50C3CoolMOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technologyID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package MarkingSPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3Maxim
spw52n50c3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3ISPW52N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD