SPW52N50C3 - описание и поиск аналогов

 

SPW52N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW52N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPW52N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW52N50C3 даташит

 ..1. Size:609K  infineon
 spw52n50c3.pdf pdf_icon

SPW52N50C3

SPW52N50C3 CoolMOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.07 New revolutionary high voltage technology ID 52 A Worldwide best RDS(on) in TO-247 PG-TO247 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Marking SPW52N50C3 PG-TO247 52N50C3 Maxim

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 spw52n50c3.pdf pdf_icon

SPW52N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW52N50C3 ISPW52N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 70m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Improved Transconductance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500

Другие MOSFET... SPW24N60C3 , SPW24N60CFD , SPW32N50C3 , SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 , IRF740 , IRF1010EZ , IRF1010EZL , IRF1010EZS , IRF1010Z , IRF1010ZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.