IRF1010EZS Todos los transistores

 

IRF1010EZS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF1010EZS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IRF1010EZS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  international rectifier
irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdf pdf_icon

IRF1010EZS

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

 ..2. Size:407K  international rectifier
irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdf pdf_icon

IRF1010EZS

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
irf1010ezs.pdf pdf_icon

IRF1010EZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010EZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 0.1. Size:375K  international rectifier
auirf1010ezstrl.pdf pdf_icon

IRF1010EZS

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)

Otros transistores... SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 , SPW52N50C3 , IRF1010EZ , IRF1010EZL , IRF540 , IRF1010Z , IRF1010ZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES , IRF1018ESL , IRF1104L , IRF1104S .

History: CSD16322Q5 | AM7931P | MTP3LP01Y3 | RJK0210DPA | VBMB2610N | KP504V | SQD100N03-3M2L

 

 
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