IRF1010EZS - описание и поиск аналогов

 

IRF1010EZS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1010EZS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRF1010EZS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010EZS даташит

 ..1. Size:407K  international rectifier
irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdfpdf_icon

IRF1010EZS

PD - 95483C IRF1010EZPbF IRF1010EZSPbF IRF1010EZLPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 8.5m Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing tech

 ..2. Size:407K  international rectifier
irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdfpdf_icon

IRF1010EZS

PD - 95483C IRF1010EZPbF IRF1010EZSPbF IRF1010EZLPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 8.5m Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing tech

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
irf1010ezs.pdfpdf_icon

IRF1010EZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010EZS FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

 0.1. Size:375K  international rectifier
auirf1010ezstrl.pdfpdf_icon

IRF1010EZS

PD - 95962 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUIRF1010EZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G ID (Silicon Limited) 84A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * ID (Package Limited)

Другие MOSFET... SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 , SPW52N50C3 , IRF1010EZ , IRF1010EZL , IRF540N , IRF1010Z , IRF1010ZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES , IRF1018ESL , IRF1104L , IRF1104S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.