IRF1018E Todos los transistores

 

IRF1018E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF1018E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF1018E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  international rectifier
 irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf pdf_icon

IRF1018E

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl

 ..2. Size:429K  international rectifier
 irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdf pdf_icon

IRF1018E

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl

 ..3. Size:246K  inchange semiconductor
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IRF1018E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018EIIRF1018EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:658K  infineon
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IRF1018E

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo

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History: CS2N90F | HAT2028R

 

 
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