Справочник MOSFET. IRF1018E

 

IRF1018E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1018E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRF1018E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1018E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  international rectifier
 irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf pdf_icon

IRF1018E

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl

 ..2. Size:429K  international rectifier
 irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdf pdf_icon

IRF1018E

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl

 ..3. Size:246K  inchange semiconductor
 irf1018e.pdf pdf_icon

IRF1018E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018EIIRF1018EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:658K  infineon
 auirf1018es.pdf pdf_icon

IRF1018E

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRF7413Q | MDD3N50GRH

 

 
Back to Top

 


 
.