BF901 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF901

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: SOT143

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BF901 datasheet

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BF901

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF901; BF901R Silicon n-channel dual gate MOS-FETs November 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification Silicon n-channel dual gate MOS-FETs BF901; BF901R FEATURES QUICK REFERENCE DATA Intended for low voltage operation SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT Short channel trans

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