Справочник MOSFET. BF901

 

BF901 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF901
   Маркировка: MO1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT143
 

 Аналог (замена) для BF901

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF901 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  philips
 bf901 bf901r cnv 3.pdf pdf_icon

BF901

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF901; BF901RSilicon n-channel dual gateMOS-FETsNovember 1992Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationSilicon n-channel dual gate MOS-FETs BF901; BF901RFEATURES QUICK REFERENCE DATA Intended for low voltage operationSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT Short channel trans

Другие MOSFET... BF556B , BF556C , BF805 , BF861A , BF861B , BF861C , BF862 , BF900 , P60NF06 , BF901R , BF904 , BF904A , BF904R , BF904WR , BF905 , BF908 , BF908R .

History: AO4430

 

 
Back to Top

 


 
.