BF901R Todos los transistores

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BF901R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF901R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2.35 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT143R

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BF901R Datasheet (PDF)

1.1. bf901 bf901r cnv 3.pdf Size:40K _philips

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF901; BF901R Silicon n-channel dual gate MOS-FETs November 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification Silicon n-channel dual gate MOS-FETs BF901; BF901R FEATURES QUICK REFERENCE DATA Intended for low voltage operation SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT Short channel transistor w

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