BF901R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF901R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2.35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: SOT143R

Аналог (замена) для BF901R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF901R даташит

 ..1. Size:40K  philips
 bf901 bf901r cnv 3.pdf pdf_icon

BF901R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF901; BF901R Silicon n-channel dual gate MOS-FETs November 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification Silicon n-channel dual gate MOS-FETs BF901; BF901R FEATURES QUICK REFERENCE DATA Intended for low voltage operation SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT Short channel trans

Другие IGBT... BF556C, BF805, BF861A, BF861B, BF861C, BF862, BF900, BF901, BS170, BF904, BF904A, BF904R, BF904WR, BF905, BF908, BF908R, BF908WR