BF901R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF901R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2.35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143R
Аналог (замена) для BF901R
BF901R Datasheet (PDF)
bf901 bf901r cnv 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF901; BF901RSilicon n-channel dual gateMOS-FETsNovember 1992Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationSilicon n-channel dual gate MOS-FETs BF901; BF901RFEATURES QUICK REFERENCE DATA Intended for low voltage operationSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT Short channel trans
Другие MOSFET... BF556C , BF805 , BF861A , BF861B , BF861C , BF862 , BF900 , BF901 , CS150N03A8 , BF904 , BF904A , BF904R , BF904WR , BF905 , BF908 , BF908R , BF908WR .
History: IRFR1010Z | IRFP3306 | IRFP4768 | IRFP4710
History: IRFR1010Z | IRFP3306 | IRFP4768 | IRFP4710



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31