BF901R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF901R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2.35 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143R
BF901R Datasheet (PDF)
bf901 bf901r cnv 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF901; BF901RSilicon n-channel dual gateMOS-FETsNovember 1992Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationSilicon n-channel dual gate MOS-FETs BF901; BF901RFEATURES QUICK REFERENCE DATA Intended for low voltage operationSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT Short channel trans
Другие MOSFET... BF556C , BF805 , BF861A , BF861B , BF861C , BF862 , BF900 , BF901 , IRFP250 , BF904 , BF904A , BF904R , BF904WR , BF905 , BF908 , BF908R , BF908WR .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918