IRF6609 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6609

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6609 datasheet

 ..1. Size:201K  international rectifier
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IRF6609

PD - 95822 IRF6609 HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg l Low Conduction Losses 20V 2.0m @VGS = 10V 46nC l Low Switching Losses 2.6m @VGS = 4.5V l Ideal Synchronous Rectifier MOSFET l Low Profile (

 8.1. Size:265K  international rectifier
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IRF6609

PD - 94366F IRF6601/IRF6601TR1 HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 20V 3.8m @VGS = 10V 30nC l Low Conduction Losses 5.0m @VGS = 4.5V l Low Switching Losses l Low Profile (

 8.2. Size:178K  international rectifier
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IRF6609

PD - 94727B IRF6608 HEXFET Power MOSFET l Application Specific MOSFETs VDSS RDS(on) max Qg l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses 30V 9.0m @VGS = 10V 16nC l Low Switching Losses 11m @VGS = 4.5V l Low Profile (

 8.3. Size:249K  international rectifier
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IRF6609

PD - 94363C IRF6602/IRF6602TR1 HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg l Application Specific MOSFETs 20V 13m @VGS = 10V 12nC l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 19m @VGS = 4.5V l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (

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