Справочник MOSFET. IRF6609

 

IRF6609 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF6609
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET

 Аналог (замена) для IRF6609

 

 

IRF6609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  international rectifier
 irf6609.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 95822IRF6609HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Low Conduction Losses20V 2.0m@VGS = 10V 46nCl Low Switching Losses2.6m@VGS = 4.5Vl Ideal Synchronous Rectifier MOSFETl Low Profile (

 8.1. Size:265K  international rectifier
 irf6601.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 94366FIRF6601/IRF6601TR1HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Application Specific MOSFETsl Ideal for CPU Core DC-DC Converters20V 3.8m@VGS = 10V 30nCl Low Conduction Losses5.0m@VGS = 4.5Vl Low Switching Lossesl Low Profile (

 8.2. Size:178K  international rectifier
 irf6608.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 94727BIRF6608HEXFET Power MOSFETl Application Specific MOSFETsVDSS RDS(on) maxQgl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Low Conduction Losses30V 9.0m@VGS = 10V 16nCl Low Switching Losses11m@VGS = 4.5Vl Low Profile (

 8.3. Size:249K  international rectifier
 irf6602.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 94363CIRF6602/IRF6602TR1HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Application Specific MOSFETs20V 13m@VGS = 10V 12nCl Ideal for CPU Core DC-DC Converters19m@VGS = 4.5Vl Low Conduction Lossesl Low Switching Lossesl Low Profile (

 8.4. Size:52K  international rectifier
 irf6603.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 94364APROVISIONALIRF6603DirectFETTM Power MOSFET Application Specific MOSFETsVDSS RDS(on) max ID Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V 3.9m@VGS = 10V 28A Low Conduction Losses5.5m@VGS = 4.5V 22A High Cdv/dt Immunity Low Profile (

 8.5. Size:599K  international rectifier
 irf6607.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 94574IRF6607HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Application Specific MOSFETsl Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V 3.3m@VGS = 10V 50nCl Low Conduction Losses4.4m@VGS = 4.5Vl High Cdv/dt Immunityl Low Profile (

 8.6. Size:56K  international rectifier
 irf6604.pdf

IRF6609 IRF6609

PD - 94365PROVISIONALIRF6604DirectFETTM Power MOSFET Application Specific MOSFETsVDSS RDS(on) max ID Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V 11.5m@VGS = 7.0V 16A Low Conduction Losses13m@VGS = 4.5V 14A Low Switching Losses Low Profile (

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top