IRF6662 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF6662 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6662

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6662 datasheet

..1. Size:247K international rectifier
irf6662pbf irf6662trpbf.pdf pdf_icon

PD - 97243A IRF6662PbF IRF6662TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant RDS(on) VDSS VGS Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 17.5m @ 10V 100V max 20V max Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket 22nC 6.8nC 1.2nC 50nC 11nC

..2. Size:277K international rectifier
irf6662.pdf pdf_icon

PD - 97039A IRF6662 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) Low Profile (

8.1. Size:233K international rectifier
irf6665pbf irf6665trpbf.pdf pdf_icon

PD - 97230A IRF6665PbF DIGITAL AUDIO MOSFET IRF6665TRPbF Key Parameters Features VDS 100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifier RDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m applications Qg typ. 8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ. 1.9 Low Qrr for better THD

8.2. Size:606K international rectifier
irf6665.pdf pdf_icon

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