Справочник MOSFET. IRF6662

 

IRF6662 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF6662
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET

 Аналог (замена) для IRF6662

 

 

IRF6662 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
irf6662.pdf

IRF6662
IRF6662

PD - 97039AIRF6662DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) Low Profile (

 ..2. Size:247K  infineon
irf6662pbf irf6662trpbf.pdf

IRF6662
IRF6662

PD - 97243AIRF6662PbFIRF6662TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant RDS(on) VDSS VGS Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)17.5m@ 10V100V max 20V max Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ideal for High Performance Isolated ConverterPrimary Switch Socket22nC 6.8nC 1.2nC 50nC 11nC

 8.1. Size:606K  international rectifier
irf6665.pdf

IRF6662
IRF6662

PD - 96900CIRF6665DIGITAL AUDIO MOSFETKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD and lower EMI

 8.2. Size:233K  infineon
irf6665pbf irf6665trpbf.pdf

IRF6662
IRF6662

PD - 97230AIRF6665PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRF6665TRPbFKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD

 8.3. Size:630K  infineon
irf6668pbf irf6668trpbf.pdf

IRF6662
IRF6662

PD - 97232AIRF6668PbFIRF6668TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)RDS(on) VDSS VGSl Application Specific MOSFETs12m@ 10Vl Ideal for High Performance Isolated Converter 80V max 20V maxPrimary Switch SocketQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Optimized for Synchronous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top