IRF6662 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF6662
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
IRF6662 Datasheet (PDF)
irf6662.pdf
PD - 97039AIRF6662DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) Low Profile (
irf6662pbf irf6662trpbf.pdf
PD - 97243AIRF6662PbFIRF6662TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant RDS(on) VDSS VGS Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)17.5m@ 10V100V max 20V max Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ideal for High Performance Isolated ConverterPrimary Switch Socket22nC 6.8nC 1.2nC 50nC 11nC
irf6665.pdf
PD - 96900CIRF6665DIGITAL AUDIO MOSFETKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD and lower EMI
irf6665pbf irf6665trpbf.pdf
PD - 97230AIRF6665PbFDIGITAL AUDIO MOSFETIRF6665TRPbFKey ParametersFeaturesVDS100 V Latest MOSFET Silicon technology Key parameters optimized for Class-D audio amplifierRDS(on) typ. @ VGS = 10V 53 m: applicationsQg typ.8.7 nC Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency RG(int) typ.1.9 Low Qrr for better THD
irf6668pbf irf6668trpbf.pdf
PD - 97232AIRF6668PbFIRF6668TRPbFDirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)RDS(on) VDSS VGSl Application Specific MOSFETs12m@ 10Vl Ideal for High Performance Isolated Converter 80V max 20V maxPrimary Switch SocketQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Optimized for Synchronous
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918