IRF8736 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF8736
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 449 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF8736

IRF8736 Datasheet (PDF)

..1. Size:247K international rectifier
irf8736pbf.pdf

PD - 97120IRF8736PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook4.8m @VGS = 10V30V 17nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

..2. Size:247K infineon
irf8736pbf.pdf

0.1. Size:224K international rectifier
irf8736pbf-1.pdf

IRF8736PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 4.8 m2 7(@V = 10V)GS S DQg (typical) 17 nC3 6S DID 4 518 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Synchronous MOSFET for Notebook Processor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Pack

0.2. Size:497K international rectifier
auirf8736m2.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete

0.3. Size:497K infineon
auirf8736m2tr.pdf

0.4. Size:810K cn vbsemi
irf8736tr.pdf

IRF8736TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 10 V 1830 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous0.005 at VGS = 4.5 V 16Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

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Liste

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