Справочник MOSFET. IRF8736

 

IRF8736 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF8736
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 449 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF8736

 

 

IRF8736 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  international rectifier
 irf8736pbf.pdf

IRF8736 IRF8736

PD - 97120IRF8736PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook4.8m @VGS = 10V30V 17nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

 ..2. Size:247K  infineon
 irf8736pbf.pdf

IRF8736 IRF8736

PD - 97120IRF8736PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook4.8m @VGS = 10V30V 17nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

 0.1. Size:224K  international rectifier
 irf8736pbf-1.pdf

IRF8736 IRF8736

IRF8736PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 4.8 m2 7(@V = 10V)GS S DQg (typical) 17 nC3 6S DID 4 518 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Synchronous MOSFET for Notebook Processor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Pack

 0.2. Size:497K  international rectifier
 auirf8736m2.pdf

IRF8736 IRF8736

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete

 0.3. Size:497K  infineon
 auirf8736m2tr.pdf

IRF8736 IRF8736

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete

 0.4. Size:810K  cn vbsemi
 irf8736tr.pdf

IRF8736 IRF8736

IRF8736TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 10 V 1830 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous0.005 at VGS = 4.5 V 16Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPP90R350A

 

 
Back to Top