BF989 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF989

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: SOT143

 Búsqueda de reemplazo de BF989 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BF989 datasheet

 ..1. Size:51K  philips
 bf989 2.pdf pdf_icon

BF989

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF989 N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF989 FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back dio

 ..2. Size:66K  philips
 bf989.pdf pdf_icon

BF989

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF989 N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF989 FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back dio

Otros transistores... BF965, BF966, BF966S, BF980, BF980A, BF981, BF982, BF988, IRLB3034, BF989S, BF990, BF990A, BF991, BF992, BF992R, BF993, BF994