Справочник MOSFET. BF989

 

BF989 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF989
   Маркировка: M89_MA_MAp
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT143
 

 Аналог (замена) для BF989

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF989 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
bf989 2.pdfpdf_icon

BF989

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio

 ..2. Size:66K  philips
bf989.pdfpdf_icon

BF989

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio

Другие MOSFET... BF965 , BF966 , BF966S , BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , 60N06 , BF989S , BF990 , BF990A , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 .

History: 2N6791-SM | FDC6401N | IRFI460 | FRS9230D | 5LN01C | HUFA75645S3S

 

 
Back to Top

 


 
.