BF989 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF989
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143
Аналог (замена) для BF989
BF989 Datasheet (PDF)
bf989 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
bf989.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
Другие MOSFET... BF965 , BF966 , BF966S , BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , IRLB3034 , BF989S , BF990 , BF990A , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 .
History: PP2H06AK | IRFS7787 | P2060JF | BL8N60-D | BL8N60-P | APT30M40JVR | MTN7002ZS3
History: PP2H06AK | IRFS7787 | P2060JF | BL8N60-D | BL8N60-P | APT30M40JVR | MTN7002ZS3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620