BF989S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF989S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143
Búsqueda de reemplazo de BF989S MOSFET
BF989S Datasheet (PDF)
bf989 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
bf989.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
Otros transistores... BF966 , BF966S , BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , MMD60R360PRH , BF990 , BF990A , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S .
History: SML801R4BN | BF989
History: SML801R4BN | BF989
Liste
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