BF989S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF989S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143
Аналог (замена) для BF989S
BF989S Datasheet (PDF)
bf989 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
bf989.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
Другие MOSFET... BF966 , BF966S , BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , IRF9640 , BF990 , BF990A , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S .
History: IXTH152N085T | BL8N100-W | PP2H06AT | DH100N06 | DH100P25I | UT3N01Z | APT20M38BVR
History: IXTH152N085T | BL8N100-W | PP2H06AT | DH100N06 | DH100P25I | UT3N01Z | APT20M38BVR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381