BF989S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BF989S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BF989S Datasheet (PDF)
bf989 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
bf989.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF989N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF989FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio
Другие MOSFET... BF966 , BF966S , BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , IRLZ44N , BF990 , BF990A , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S .
History: DMC2700UDM | SIHLR120 | RFT3055LE | SSP80R1K3S | IXTH27N40MA | KNB3508A | IXFP18N65X2
History: DMC2700UDM | SIHLR120 | RFT3055LE | SSP80R1K3S | IXTH27N40MA | KNB3508A | IXFP18N65X2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381