BF990A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF990A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF990A

BF990A Datasheet (PDF)

..1. Size:54K philips
bf990a 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF990AN-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF990AFEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back d

..2. Size:71K philips
bf990a.pdf

Otros transistores... BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , BF989S , BF990 , EMB04N03H , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S , BF994SR , BF995 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: