BF990A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF990A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143
Аналог (замена) для BF990A
BF990A Datasheet (PDF)
bf990a 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF990AN-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF990AFEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back d
bf990a.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF990AN-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF990AFEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back d
Другие MOSFET... BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , BF989S , BF990 , HY1906P , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S , BF994SR , BF995 .
History: H02N65E | G10N10 | NTD4815N | 2SJ201
History: H02N65E | G10N10 | NTD4815N | 2SJ201
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885