BF997 Todos los transistores

 

BF997 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF997
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 17 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

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BF997 Datasheet (PDF)

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BF997

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF997N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF997FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio

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BF997

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF997N-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF997FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back dio

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History: NVD5862N

 

 
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