BF997. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF997

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 17 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: SOT143

Аналог (замена) для BF997

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF997 даташит

 ..1. Size:31K  philips
 bf997 2.pdf pdf_icon

BF997

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF997 N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF997 FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back dio

 ..2. Size:42K  philips
 bf997.pdf pdf_icon

BF997

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF997 N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF997 FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back dio

Другие IGBT... BF993, BF994, BF994S, BF994SR, BF995, BF996, BF996S, BF996SR, IRF3205, BF998, BF998R, BF998WR, BFC10, BFC11, BFC12, BFC13, BFC14