BFT46 Todos los transistores

 

BFT46 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFT46
   Código: M3_M3p
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BFT46 Datasheet (PDF)

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BFT46

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT46N-channel silicon FETDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon FET BFT46DESCRIPTIONSymmetrical n-channel siliconepitaxial planar junction field-effecttransistor in a microminiature plasticenvelope. The transistor is intendedfor low leve

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BFT46

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFT46N-channel silicon FETProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon FET BFT46DESCRIPTIONSymmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose 3handbook, halfpage

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BFT46

BFT46DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 250V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.5A C(0.0

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History: FSS230D

 

 
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