Справочник MOSFET. BFT46

 

BFT46 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BFT46
   Маркировка: M3_M3p
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для BFT46

 

 

BFT46 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  philips
 bft46 cnv 2.pdf

BFT46 BFT46

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT46N-channel silicon FETDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon FET BFT46DESCRIPTIONSymmetrical n-channel siliconepitaxial planar junction field-effecttransistor in a microminiature plasticenvelope. The transistor is intendedfor low leve

 ..2. Size:209K  philips
 bft46 cnv.pdf

BFT46 BFT46

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFT46N-channel silicon FETProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon FET BFT46DESCRIPTIONSymmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose 3handbook, halfpage

 0.1. Size:10K  semelab
 bft46dcsm.pdf

BFT46

BFT46DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 250V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.5A C(0.0

Другие MOSFET... BFC52 , BFC61 , BFC62 , BFC63 , BFR30 , BFR31 , BFR84 , BFS28R , IRF4905 , BS107P , BS107PT , BS108 , BS170 , BS170F , BS170P , BS250F , BS250P .

 

 
Back to Top