BFT46 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFT46

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BFT46

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BFT46 даташит

 ..1. Size:47K  philips
 bft46 cnv 2.pdf pdf_icon

BFT46

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT46 N-channel silicon FET December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon FET BFT46 DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low leve

 ..2. Size:209K  philips
 bft46 cnv.pdf pdf_icon

BFT46

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT46 N-channel silicon FET Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon FET BFT46 DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose 3 handbook, halfpage

 0.1. Size:10K  semelab
 bft46dcsm.pdf pdf_icon

BFT46

BFT46DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 250V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.5A C (0.0

Другие IGBT... BFC52, BFC61, BFC62, BFC63, BFR30, BFR31, BFR84, BFS28R, IRFP260, BS107P, BS107PT, BS108, BS170, BS170F, BS170P, BS250F, BS250P