BS270 Todos los transistores

 

BS270 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BS270

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.625 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BS270

 

BS270 Datasheet (PDF)

1.1. bs270.pdf Size:339K _fairchild_semi

BS270
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April 1995 BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel enhancement mode field effect transistors 400mA, 60V. RDS(ON) = 2? @ VGS = 10V. are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, High density cell design for low RDS(ON). DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while p

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