BS270 - описание и поиск аналогов

 

BS270. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BS270

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для BS270

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BS270 даташит

 ..1. Size:339K  fairchild semi
 bs270.pdf pdf_icon

BS270

April 1995 BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel enhancement mode field effect transistors 400mA, 60V. RDS(ON) = 2 @ VGS = 10V. are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, High density cell design for low RDS(ON). DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance wh

 ..2. Size:464K  onsemi
 bs270.pdf pdf_icon

BS270

BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using ON Semiconductor's proprietary, high 400mA, 60V. RDS(ON) = 2 @ VGS = 10V. cell density, DMOS technology. These products have been High density cell design for low RDS(ON). designed to minimize on-state resistance while p

Другие MOSFET... BS107P , BS107PT , BS108 , BS170 , BS170F , BS170P , BS250F , BS250P , IRF1010E , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , BSS110 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.