Справочник MOSFET. BS270

 

BS270 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BS270
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BS270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  fairchild semi
 bs270.pdf pdf_icon

BS270

April 1995 BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode field effect transistors 400mA, 60V. RDS(ON) = 2 @ VGS = 10V.are produced using Fairchild's proprietary, high cell density,High density cell design for low RDS(ON).DMOS technology. These products have been designed tominimize on-state resistance wh

 ..2. Size:464K  onsemi
 bs270.pdf pdf_icon

BS270

BS270N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General DescriptionFeaturesThese N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using ON Semiconductor's proprietary, high 400mA, 60V. RDS(ON) = 2 @ VGS = 10V.cell density, DMOS technology. These products have been High density cell design for low RDS(ON).designed to minimize on-state resistance while p

Другие MOSFET... BS107P , BS107PT , BS108 , BS170 , BS170F , BS170P , BS250F , BS250P , IRFP250 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , BSS110 .

History: AOD4112 | STP10NM50N | NDT6N70 | IRFR9022 | RFT1P06E | IPD50R280CE | APT10050B2VFR

 

 
Back to Top

 


 
.