IRFH9310 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH9310

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRFH9310 datasheet

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IRFH9310

IRFH9310PbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V 6 mm S RDS(on) max 4.6 m S D (@VGS = 10V) S D Qg (typical) 110 nC G D RG (typical) 2.8 D ID PQFN -21 A (@TA = 25 C) 5mm x 6mm Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application Features and Benefits Resulting Benefits Features Low RDSon ( 4.6m ) Lower Conduction Losses results

 ..2. Size:766K  cn evvo
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IRFH9310

IRFH9310 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFH9310 uses advanced trench technology to G S S provide excellent R , low gate charge and DS(ON) S D D D operation with gate voltages as low as 4.5V. This D G S device is suitable for use as a S S Pin 1 Battery protection or in other Switching application. DFN5X6-8L General Features D V = -30V I =-90A

Otros transistores... IRF9321, IRF9328, IRF9332, IRF9333, IRF9335, IRF9388, IRF9392, IRF9393, EMB04N03H, IRFHM9331, IRFHS9301, IRFR9024NC, IRFTS9342, IRLHS2242, IRLIB9343, IRLML2244, IRLML2246