IRFH9310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFH9310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH9310

IRFH9310 Datasheet (PDF)

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irfh9310pbf.pdf

IRFH9310PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 V6 mmSRDS(on) max 4.6 m SD(@VGS = 10V)SDQg (typical)110nC GDRG (typical)2.8DID PQFN-21 A(@TA = 25C) 5mm x 6mmApplications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.6m) Lower Conduction Lossesresults

..2. Size:766K cn evvo
irfh9310.pdf

IRFH9310P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription The IRFH9310 uses advanced trench technology to GSSprovide excellent R , low gate charge and DS(ON)SDDDoperation with gate voltages as low as 4.5V. This DGSdevice is suitable for use as a SSPin 1Battery protection or in other Switching application. DFN5X6-8LGeneral Features D V = -30V I =-90A

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Liste

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