IRFH9310 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFH9310 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFH9310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6
 

 Аналог (замена) для IRFH9310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH9310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  1
 irfh9310pbf.pdf pdf_icon

IRFH9310

IRFH9310PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 V6 mmSRDS(on) max 4.6 m SD(@VGS = 10V)SDQg (typical)110nC GDRG (typical)2.8DID PQFN-21 A(@TA = 25C) 5mm x 6mmApplications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.6m) Lower Conduction Lossesresults

 ..2. Size:766K  cn evvo
 irfh9310.pdf pdf_icon

IRFH9310

IRFH9310P-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription The IRFH9310 uses advanced trench technology to GSSprovide excellent R , low gate charge and DS(ON)SDDDoperation with gate voltages as low as 4.5V. This DGSdevice is suitable for use as a SSPin 1Battery protection or in other Switching application. DFN5X6-8LGeneral Features D V = -30V I =-90A

Другие MOSFET... IRF9321 , IRF9328 , IRF9332 , IRF9333 , IRF9335 , IRF9388 , IRF9392 , IRF9393 , EMB04N03H , IRFHM9331 , IRFHS9301 , IRFR9024NC , IRFTS9342 , IRLHS2242 , IRLIB9343 , IRLML2244 , IRLML2246 .

 

 
Back to Top

 


 
.