IRFH9310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH9310

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH9310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH9310 даташит

 ..1. Size:289K  1
 irfh9310pbf.pdf pdf_icon

IRFH9310

IRFH9310PbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V 6 mm S RDS(on) max 4.6 m S D (@VGS = 10V) S D Qg (typical) 110 nC G D RG (typical) 2.8 D ID PQFN -21 A (@TA = 25 C) 5mm x 6mm Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application Features and Benefits Resulting Benefits Features Low RDSon ( 4.6m ) Lower Conduction Losses results

 ..2. Size:766K  cn evvo
 irfh9310.pdf pdf_icon

IRFH9310

IRFH9310 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFH9310 uses advanced trench technology to G S S provide excellent R , low gate charge and DS(ON) S D D D operation with gate voltages as low as 4.5V. This D G S device is suitable for use as a S S Pin 1 Battery protection or in other Switching application. DFN5X6-8L General Features D V = -30V I =-90A

Другие IGBT... IRF9321, IRF9328, IRF9332, IRF9333, IRF9335, IRF9388, IRF9392, IRF9393, EMB04N03H, IRFHM9331, IRFHS9301, IRFR9024NC, IRFTS9342, IRLHS2242, IRLIB9343, IRLML2244, IRLML2246