BSR57 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSR57
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSR57

BSR57 Datasheet (PDF)

..1. Size:33K philips
bsr56 bsr57 bsr58.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSR56; BSR57; BSR58N-channel FETsApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors in a plastic microminiatureenvelope intended for application inth

..2. Size:43K fairchild semi
bsr57.pdf

BSR57N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 512SOT-231Mark: M51. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDGO Drain-Gate Voltage 40 VVGSO Gate-Source Voltage - 40 VIGF Forward Gate Current 50 mAPt

Otros transistores... BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , 13N50 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: