BSR57 Todos los transistores

 

BSR57 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSR57

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BSR57 datasheet

 ..1. Size:33K  philips
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BSR57

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSR56; BSR57; BSR58 N-channel FETs April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors in a plastic microminiature envelope intended for application in th

 ..2. Size:43K  fairchild semi
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BSR57

BSR57 N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3 Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 51 2 SOT-23 1 Mark M5 1. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDGO Drain-Gate Voltage 40 V VGSO Gate-Source Voltage - 40 V IGF Forward Gate Current 50 mA Pt

Otros transistores... BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , NCEP15T14 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL .

History: BUK109-50DL | BUK203-50Y

 

 

 

 

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