Справочник MOSFET. BSR57

 

BSR57 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSR57
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для BSR57

 

 

BSR57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  philips
 bsr56 bsr57 bsr58.pdf

BSR57 BSR57

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSR56; BSR57; BSR58N-channel FETsApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors in a plastic microminiatureenvelope intended for application inth

 ..2. Size:43K  fairchild semi
 bsr57.pdf

BSR57 BSR57

BSR57N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 512SOT-231Mark: M51. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDGO Drain-Gate Voltage 40 VVGSO Gate-Source Voltage - 40 VIGF Forward Gate Current 50 mAPt

Другие MOSFET... BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , 13N50 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL .

 

 
Back to Top