BSR57 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSR57
Маркировка: M5_M5p_M5P
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 40 Ohm
Тип корпуса: SOT23
BSR57 Datasheet (PDF)
bsr56 bsr57 bsr58.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSR56; BSR57; BSR58N-channel FETsApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors in a plastic microminiatureenvelope intended for application inth
bsr57.pdf
BSR57N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 512SOT-231Mark: M51. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDGO Drain-Gate Voltage 40 VVGSO Gate-Source Voltage - 40 VIGF Forward Gate Current 50 mAPt
Другие MOSFET... BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , AO4407 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL .
