BSR57 - описание и поиск аналогов

 

BSR57. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSR57

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BSR57

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSR57 даташит

 ..1. Size:33K  philips
 bsr56 bsr57 bsr58.pdf pdf_icon

BSR57

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSR56; BSR57; BSR58 N-channel FETs April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors in a plastic microminiature envelope intended for application in th

 ..2. Size:43K  fairchild semi
 bsr57.pdf pdf_icon

BSR57

BSR57 N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3 Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 51 2 SOT-23 1 Mark M5 1. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDGO Drain-Gate Voltage 40 V VGSO Gate-Source Voltage - 40 V IGF Forward Gate Current 50 mA Pt

Другие MOSFET... BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , NCEP15T14 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.