IRF7303Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7303Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SO8
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IRF7303Q datasheet
irf7303.pdf
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irf7303pbf.pdf
PD - 95177 IRF7303PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual N-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = 30V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 l Fast Switching l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc
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History: IRLML2030 | IXFP22N65X2M | IRF9910 | IRF7311
History: IRLML2030 | IXFP22N65X2M | IRF9910 | IRF7311
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